今天来给大家讲讲TFT液晶屏技术特性到底是怎么样的，希望可以帮助到更多新入门的朋友。

如今，随着智能手机的快速发展，边肖认为许多网民对TFT液晶屏这个词并不陌生，他们或多或少会在手机参数项中看到。TFT全称为ThinFilmTransistor(膜场效应晶体管)，是指TFT液晶显示屏上的每一个液晶象素点都由集成在后面的膜晶体管驱动，从而实现高速、高亮度、高对比度的屏幕信息。TFT属于有源矩阵液晶显示器，而TFT液晶屏是大多数液晶显示器之一。

TFT屏幕在液晶背面设置特殊光管，可以主动控制屏幕上的各种独立像素，这就是所谓的主动矩阵TFT(activematrixTFT)的起源，可以大大提高反应时间。一般来说，TFT的反应时间相对较快，约为80毫秒，而STN为200毫秒，如果需要改进，就会出现闪烁现象。而且因为TFT是主动矩阵LCD，可以记忆液晶的排列方式，电流消失后不会立即恢复原状。

TFT显示屏的显示采用背透照射方式——假设的光源路径不是像TNLCD那样从上到下，而是从下到上。这种方法是在LCD背面设置一个特殊的光管，光源照射时通过下偏光板向上渗透。由于上下夹层的电极改为FET电极和共通电极，当FET电极导通时，LCD分子的性能也会发生变化，可以通过遮光和透光达到显示的目的。响应时间大大提高到80毫秒左右。因为它比TN-LCD对比度更高，颜色更丰富，屏幕更新频率更快，所以TFT俗称真彩。

与DSTN相比，TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关装置。因为每一个像素都可以通过点脉冲直接控制。因此，每一个节点都是相对独立的，并且可以连续控制。这种设计方法不仅提高了显示屏的反应速度，而且还能精确控制显示灰度，这就是为什么TFT的颜色比DSTN更逼真。

TFT还改善了STN闪烁(水波纹)的模糊现象，有效提高了播放动态图像的能力。与STN相比，TFT具有优异的色彩饱和度、恢复能力和较高的对比度，但缺点是功耗高，成本高。

TFT液晶屏技术特性

TFT技术是20世纪90年代发展起来的。采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术是液晶、无机和有机薄膜电致发光(EL和OEL)平板显示器的基础。TFT是玻璃或塑料基板等非单晶片(当然也可以在晶片上)通过溅射和化学沉积技术形成制造电路所需的各种薄膜，通过薄膜加工制造大规模半导体集成电路(LSIC)。使用非单晶基板可以大大降低成本，这是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造控制像元(LC或OLED)开关性能的TFT比在硅片上制造大规模集成电路更难。对生产环境的要求(净化度为100级)，对原材料纯度的要求(电子气体纯度为99.9999985%)，对生产设备和生产设备的主要求超过半导体技术。

大面积。

20世纪90年代初，第一代大面积玻璃基板(300毫米×400毫米)TFT-液晶显示器生产线投产。到2000年上半年，玻璃基板的面积已经扩大到680毫米×880毫米。最近，950毫米×1200毫米的玻璃基板也将投入运行。原则上没有面积限制。

集成度高。

用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率为XGA，含有数百万像素。分辨率为SXGA(1280×1024)的16.1英寸TFT阵列非晶体硅的膜厚仅为50纳米，TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术的集成度、设备和供应技术的要求和技术难度都超过了传统的LSI。

功能强大。

TFT最初作为矩阵选址电路改善了液晶光阀的特性。高分辨率显示器可以通过0-6V范围的电压调节(其典型值为0.2~4V)实现对象元的正确控制，使LCD实现高质量的高分辨率显示。TFT-LCD是人类历史上第一个显示质量超过CRT的平板显示器。现在，人们开始将驱动IC集成到玻璃基板上，TFT整体的功能更加强大，这是传统的大规模半导体集成电路无法比拟的。

低成本。

玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大型半导体集成电路的成本问题，为大型半导体集成电路的应用开辟了广阔的应用空间。

过程灵活。

激光退火技术除了采用溅射、CVD(化学气相沉积)、MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺成膜外，还开始应用于非晶膜、多晶膜和单晶膜。不但能做硅膜，还能做其它Ⅱ-v族和ⅲ-v族半导体膜。

应用广泛。

基于TFT技术的LCD平板显示器是信息社会的支柱产业，也可以应用于薄膜晶体管有机电致发光(TFT-OLED)平板显示器的快速发展。

以上便是今天我们所要说的TFT液晶屏技术特性，有任何需求可以联系我们。